110 / 2019-09-30 16:08:50
基于ZnO/SiC多层结构高频声表面波器件及性能提升
ZnO,SiC,声表面波,高频
Draft Pending
傅肃磊 / 清华大学
飞曾 / 清华大学
王为标 / 无锡市好达电子有限公司
峰潘 / 清华大学
本文采用磁控溅射方法在高声速6H-SiC基片上生长高质量的ZnO压电薄膜,制备一系列频率高达4GHz以上的声表面波单端谐振器,通过模拟和实验系统地研究ZnO/SiC多层结构上的声表面波传播特性。另外,采用V作为掺杂元素对ZnO薄膜进行掺杂改性,通过调控ZnO压电薄膜性能,实现了ZnO/SiC多层结构声表面波滤波器的性能提升。
Important Date
  • Conference Date

    Nov 15

    2019

    to

    Nov 18

    2019

  • Nov 01 2019

    Draft paper submission deadline

  • Nov 18 2019

    Registration deadline

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浙江大学
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