氧气百分含量对HiPIMS低温沉积氧化钒薄膜的影响
ID:35 View Protection:ATTENDEE Updated Time:2020-12-08 16:04:55 Hits:3414 Oral Presentation

Start Time:2020-11-15 15:00(0)

Duration:15min

Session:D 分会场三:薄膜科技论坛 » D2下午

No files

Abstract
氧气百分含量对HiPIMS低温沉积氧化钒薄膜的影响
张玉琛、陈强、张海宝*
(北京印刷学院等离子体物理与材料实验室,北京,102600,Email: hbzhang@bigc.edu.cn)

摘要:氧化钒薄膜在光电调制、智能温控、红外探测等方面具有广泛的应用前景,近年来氧化钒薄膜的制备技术及其性能研究一直受到世界各国研究人员的高度关注。高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)技术具有高峰值功率密度、高电离度和高等离子体密度等特点,可通过调控沉积参数,控制溅射金属靶材的粒子能量,实现低温原位制备薄膜,且薄膜表面平滑致密。本研究采用HiPIMS制备热致变色氧化钒薄膜,并重点研究了氧气百分含量的变化对HiPIMS沉积氧化钒薄膜的影响。采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)等手段表征薄膜的沉积速率、相成分以及表面形貌,采用UV-VIS分光光度仪和四点探针测试仪测定了薄膜的相变特性。主要研究内容与结论如下:
  1. 研究了氧气百分含量对薄膜沉积速率的影响。在工作气压0.5 Pa、脉冲电压1000V、频率200 Hz、脉冲宽度100μs的条件下,随着氧气百分含量的增加,薄膜的沉积速率下降,氧气百分含量为9%时,沉积速率下降了约52%,说明出现了明显的靶中毒现象。
  2. 研究了氧气百分含量对薄膜相成分的影响。薄膜的XRD谱图表明不同的氧气百分含量对薄膜的相成分及结晶性能有很大影响。XRD谱图表明在氧气百分含量为7%时,薄膜的主要成分为VO2;XPS谱图表明随着氧气百分含量的增加,钒的化合价从V2+变化到V5+,说明薄膜中V的氧化程度增加。另外,随着氧气百分含量的增加,薄膜的结晶性变差。
  3. 研究了氧气百分含量对薄膜相变特性的影响。在氧气百分含量为7%时,薄膜的主要成分为VO2,随着温度的变化,VO2薄膜表现出良好的热致变色性能。
关键词:薄膜、热致变色、二氧化钒、高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)、低温
致谢:国家自然科学基金项目(NO.11505013, 11875090),北京市自然科学基金项目(NO.1192008)
 
Keywords
薄膜、热致变色、二氧化钒、高功率脉冲磁控溅射、低温
Speaker
张玉琛
北京印刷学院等离体子实验室

Submission Author
张海宝 北京印刷学院
强陈 北京印刷学院等离子体实验室
张玉琛 北京印刷学院等离体子实验室
Submit Comment
Verify Code Change Another
All Comments
Important Date
  • Conference Date

    Nov 13

    2020

    to

    Nov 16

    2020

  • Oct 31 2020

    Early Bird Registration

  • Nov 05 2020

    Draft paper submission deadline

  • Nov 16 2020

    Registration deadline

Sponsored By
中国机械工程学会表面工程分会
Organized By
广东省新材料研究所
北京大学深圳研究生院
现代材料表面工程技术国家工程实验室
Contact Information