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铜基铌薄膜的PECVD制备及表征
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Updated Time：2020-10-19 10:24:20 Hits：1995
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Abstract
纯铌射频超导腔由于具有更高的加速梯度被用于强流重离子加速器、加速器驱动嬗变研究等大科学装置中，为了降低纯铌腔的运行成本，增加导热性，铜基铌薄膜腔被发展。本文采用等离子体增强的化学气相沉积技术(PECVD)，使用NbCl5作为前驱体，H2作为还原剂，制备了均匀的致密铜基铌薄膜样片，经过SEM、XRD、XPS、EDX表征发现PECVD技术制备的薄膜质量较好，且可明显降低薄膜生长温度，表明了PECVD技术在射频超导薄膜制备方面的巨大潜力，为接下来铜基铌薄膜射频超导腔制备奠定基础。
Keywords
射频超导，PECVD，薄膜生长
Speaker
同同朱
无 中国科学院近代物理研究所 敏李
无 四川大学 安东吴
无 中国科学院近代物理研究所 峰潘
无 中国科学院近代物理研究所 明路
无 中科院近代物理研究所 腾谭
射频表面技术室副主任 中国科学院近代物理研究所Submission Author
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Conference Date
Nov 13
2020
toNov 16
2020
-
Oct 31 2020
Early Bird Registration
-
Nov 05 2020
Draft paper submission deadline
-
Nov 16 2020
Registration deadline
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广东省新材料研究所
北京大学深圳研究生院
现代材料表面工程技术国家工程实验室
北京大学深圳研究生院
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