第十六届全国薄膜技术学术研讨会

112 / 2023-11-17 13:16:07

钛掺杂SnSb4相变存储薄膜性能调控及机理研究

相变存储薄膜；掺杂；性能调控；相变机理

通过磁控共溅射法成功制备出不同Ti掺杂浓度的SnSb<sub>4</sub>相变存储薄膜，研究了不同Ti掺杂含量SnSb<sub>4</sub>薄膜在热致和光致作用下的相变行为，总结出Ti杂质对SnSb<sub>4</sub>薄膜结晶温度、析晶激活能、晶态电阻和相变速度的影响规律。从相结构和微结构角度阐述Ti掺杂SnSb<sub>4</sub>薄膜的相变性能调控机理，发现Ti杂质以非晶态形式存在于晶界，抑制薄膜结晶过程和细化晶粒尺寸，从而提高SnSb<sub>4</sub>材料的相变温度和晶态电阻，进而改善其非晶态热稳定性和RESET操作功耗。研究结果表明，Ti掺杂SnSb<sub>4</sub>薄膜材料在高速、高热稳定、低功耗相变存储器中有着巨大的应用潜力。