Presentation Details
  1. Home
  2. Presentation List
  3. Presentation Details
钛掺杂SnSb4相变存储薄膜的性能调控及机理研究
ID：8 View Protection：ATTENDEE Updated Time：2021-10-21 15:47:49 Hits：553 分会场邀请报告

Start Time：Pending（Asia/Shanghai）

Duration：Pending

Session：No Session »

No files

Abstract
通过磁控共溅射法制备出不同钛掺杂含量的SnSb4相变存储薄膜，研究了不同钛掺杂含量SnSb4薄膜在热致和光致作用下的相变动力学过程，总结出钛杂质对SnSb4薄膜结晶温度、析晶激活能、晶态电阻和相变速度的影响规律。从相结构和微结构角度阐述钛掺杂SnSb4薄膜的相变性能调控机理，发现钛杂质以非晶态形式存在于晶界，抑制薄膜结晶过程和细化晶粒尺寸，从而提高SnSb4材料的相变温度和晶态电阻，进而改善其非晶态热稳定性和RESET操作功耗。研究结果表明，钛掺杂SnSb4薄膜在高速、高热稳定、低功耗相变存储器中有着巨大的应用潜力。
Keywords
钛掺杂；相变薄膜；性能调控；相变机理
Speaker
吴卫华
江苏理工学院

Submission Author
吴卫华 江苏理工学院
Submit Comment
Verify Code Change Another
All Comments
Important Date

  • Conference Date

    Dec 15

    2023

    to

    Dec 17

    2023

  • Nov 30 2023

    Draft paper submission deadline

  • Mar 08 2024

    Registration deadline

Sponsored By
中国真空学会薄膜专业委员会
Contact Information
Login to view full contact details
Previous Conferences