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精准修复铜基石墨烯缺陷的普适性方法
ID：208 View Protection：ATTENDEE Updated Time：2023-03-28 14:15:02 Hits：2679 Oral Presentation

Start Time：2023-04-23 15:25（Asia/Shanghai）

Duration：15min

Session：Y2 第十四届全国青年表面工程论坛二 » M2下午场

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Abstract
化学气相沉积方法在制备铜基石墨烯薄膜的过程中不可避免的会出现空位、孔洞、石墨烯岛边界、裂纹等缺陷，这些缺陷会导致石墨烯的导电性能和腐蚀屏蔽性能等关键性能急剧降低，甚至石墨烯与基底铜之间的电偶腐蚀会加速金属基底的腐蚀速率。我们提出含有疏水官能团的功能分子与缺陷暴露出的铜基底形成化学键，从而精准且高效的修复铜基石墨烯缺陷，这种方法对铜基石墨烯表面的各种尺寸和各种类型的缺陷都具有普适性的修复效果，该方法可以衍生出大量的修复石墨烯缺陷的功能分子，且缺陷修复后石墨烯的导电性能不受影响，长效腐蚀屏蔽性能显著提升。
 
Keywords
铜基石墨烯; 缺陷; 电偶腐蚀; 修复; 电学性能
Speaker
吴英豪
中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Submission Author
吴英豪 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
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  • Conference Date

    Apr 21

    2023

    to

    Apr 23

    2023

  • Apr 20 2023

    Draft paper submission deadline

  • Apr 23 2023

    Registration deadline

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