Call for paper 〔OPEN〕

My submissions

Registration 〔OPEN〕

My tickets

〔CLOSED〕
Introduction

第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点,在新一代移动通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。本分会的主题涵盖氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及其在移动通信中的应用等各方面。拟邀请国内外知名专家参加会议,呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。

Call for paper

Submission Topics

征文方向:

  • 高性能微波GaN器件技术

  • 用于高性能微波器件的GaN外延技术

  • GaN微波集成电路技术

  • GaN微波器件的可靠性

  • GaN微波器件的大信号等效电路模型与物理模型

  • GaN器件和电路在移动通信中的应用

Submit Comment
Verify Code Change Another
All Comments
Important Date
  • Conference Date

    Nov 15

    2016

    to

    Nov 17

    2016

  • Nov 17 2016

    Registration deadline

Sponsored By
第三代半导体产业技术创新战略联盟
Organized By
第三代半导体产业技术创新战略联盟
Contact Information